2025年8月10日-13日，我國寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的行業(yè)盛會——第六屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議將在大連舉辦。大會由中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會、中國電子學(xué)會電子材料學(xué)分會共同主辦，大連理工大學(xué)、東北師范大學(xué)和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合承辦。
本屆大會設(shè)置開閉幕大會，材料生長、材料物性與輻照測試、光電子器件及其應(yīng)用、電子器件及其應(yīng)用、新型寬禁帶材料與器件5個平行分會，來自國內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的專家學(xué)者、科研技術(shù)人員、院校師生、企業(yè)家代表等，將圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛交流，促進產(chǎn)學(xué)研用的交流合作。這次會議必將對我國寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。
屆時，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）將攜最新產(chǎn)品方案亮相本次學(xué)術(shù)盛會（展位號：A05）。并且，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）首席科學(xué)家梁劍波將分享《2英寸多晶金剛石與GaN常溫直接鍵合及其在熱管理中的應(yīng)用》的主題報告，誠摯邀請行業(yè)專家學(xué)者、業(yè)界同仁蒞臨現(xiàn)場，進行深入的交流與探討，共同探索未來進一步合作的可能性。
嘉賓簡介
梁劍波，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）首席科學(xué)家、大阪公立大學(xué)教授及博士生導(dǎo)師，長期從事半導(dǎo)體材料異質(zhì)集成、高導(dǎo)熱界面及高性能器件研究，聚焦GaN、SiC、金剛石等寬禁帶材料的低熱阻集成與封裝技術(shù)。在《Advanced Materials》《Nature Communications》《Small》等國際期刊發(fā)表論文150余篇，擁有中日美發(fā)明專利12項。曾獲南部陽一郎優(yōu)秀研究獎、國際會議最佳論文獎及期刊優(yōu)秀審稿人獎，具備豐富的產(chǎn)學(xué)研協(xié)同與技術(shù)轉(zhuǎn)化經(jīng)驗。
報告題目：2英寸多晶金剛石與GaN常溫直接鍵合及其在熱管理中的應(yīng)用
摘要：本研究針對高功率電子器件熱管理中的核心瓶頸，提出了一種基于多晶金剛石（PCD）與GaN通過3C-SiC實現(xiàn)常溫直接鍵合的新型異質(zhì)集成方案。盡管PCD具備極高熱導(dǎo)率，其較大的表面粗糙度仍限制了其在高性能器件中的應(yīng)用。實驗中，采用表面粗糙度約為2.48 nm的2英寸PCD晶圓與3C-SiC在室溫下成功實現(xiàn)直接鍵合（如圖1所示），界面形成約7 nm的無定形中間層。經(jīng)1100°C熱處理，該中間層轉(zhuǎn)化為約13 nm的多晶SiC，界面未出現(xiàn)裂紋或分層，顯示出良好的熱穩(wěn)定性與機械完整性。
熱性能分析表明，盡管PCD的生長面熱導(dǎo)率高于單晶金剛石（SCD），但因其較小晶粒導(dǎo)致聲子散射增強，PCD基GaN HEMT器件的熱阻相比SCD基器件仍高約27%。進一步研究發(fā)現(xiàn)，去除PCD中的細晶核化層可顯著降低界面熱阻，提升整體散熱能力。本研究首次實現(xiàn)了PCD與3C-SiC的高質(zhì)量集成，為構(gòu)建高熱流密度條件下的低熱阻GaN器件提供了新的襯底解決方案。通過進一步優(yōu)化PCD晶粒結(jié)構(gòu)和界面工程，有望全面發(fā)揮其熱學(xué)優(yōu)勢，推動下一代高功率電子器件的可靠性和性能跨越式提升。
圖1. 多晶金剛石晶圓上制備的GaN HEMT器件
國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）
國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）【以下簡稱國創(chuàng)中心（蘇州）】圍繞落實國家科技創(chuàng)新重大任務(wù)部署，打造國家戰(zhàn)略科技力量，以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，聚焦第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用方向，促進各類相關(guān)創(chuàng)新主體和創(chuàng)新要素有效協(xié)同、形成合力，集聚全國優(yōu)勢力量為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供創(chuàng)新源頭技術(shù)供給，重點突破材料、器件、工藝和裝備技術(shù)瓶頸，實現(xiàn)在電力電子、微波射頻和光電子等領(lǐng)域的應(yīng)用突破，輸出高質(zhì)量科技創(chuàng)新成果，輻射帶動形成一批具有核心競爭力的創(chuàng)新企業(yè)，貫通創(chuàng)新鏈、技術(shù)鏈、人才鏈和產(chǎn)業(yè)鏈，培育發(fā)展新動能，加快我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升。國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）于2021年3月獲科技部批復(fù)支持建設(shè)，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院為國創(chuàng)中心（蘇州）的建設(shè)主體單位。
國創(chuàng)中心（蘇州）聘請郝躍院士擔任中心主任，核心研發(fā)和運營團隊近300人；獲批建設(shè)國家級博士后科研工作站、江蘇省創(chuàng)新聯(lián)合體、江蘇省人才攻關(guān)聯(lián)合體；圍繞國創(chuàng)中心建設(shè)使命，聚焦第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵共性技術(shù)，通過協(xié)同共建，建設(shè)具有國際先進水平、開放共享的公共研發(fā)支撐平臺，覆蓋材料、工藝、器件、封裝、模塊、測試分析全產(chǎn)業(yè)鏈，逐步形成系統(tǒng)級全產(chǎn)業(yè)鏈支撐服務(wù)能力，為產(chǎn)業(yè)提供“全站式”創(chuàng)新服務(wù)，已累計合作服務(wù)全國200多家機構(gòu)和企業(yè)。以市場化機制協(xié)同優(yōu)勢創(chuàng)新資源聯(lián)合攻關(guān)，面向關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域全國范圍內(nèi)合作共建37家聯(lián)合研發(fā)中心、協(xié)同創(chuàng)新中心，在大尺寸氮化鎵材料、全彩 Micro-LED、同質(zhì)外延技術(shù)、可見光通訊（VLC）等關(guān)鍵技術(shù)取得重大突破，累計布局核心專利近400項，引進孵化創(chuàng)新團隊超過50個，加速創(chuàng)新資源快速集聚，促進第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量創(chuàng)新發(fā)展。
材料生長創(chuàng)新平臺：
為GaN、AlN單晶同質(zhì)襯底、大尺寸異質(zhì)襯底的材料和器件的外延生長提供定制化服務(wù)。圍繞“關(guān)鍵共性技術(shù)開發(fā)、高質(zhì)量材料生長、外延結(jié)構(gòu)的定制化和專用裝備開發(fā)開展建設(shè)”四大核心任務(wù)打造國際一流專業(yè)化、綜合型公共研發(fā)平臺，為各高校、企事業(yè)單位提供定制化材料研發(fā)服務(wù)。平臺已初步建成氮化物材料研發(fā)和中試線，突破了超寬帶通信、高亮度、RGB寬色域micro-LED的外延生長和極低雜質(zhì)界面的二次外延技術(shù)，多項指標步入國際先進行列。
器件工藝平臺
借鑒imec成果經(jīng)驗，匯聚優(yōu)勢資源，共建光刻、刻蝕、薄膜沉積、離子注入、晶圓鍵合及加工等第三代半導(dǎo)體器件關(guān)鍵共性技術(shù)公共驗證工藝線，以UV-LED、Micro-LED、HEMT和MOSFET等寬禁帶半導(dǎo)體芯片核心工藝技術(shù)為基礎(chǔ)，以光機電集成、異質(zhì)混合集成為特色，建成國內(nèi)首個第三代半導(dǎo)體開放共享的公共驗證平臺，支撐光電子工藝、微電子工藝、光機電集成工藝技術(shù)開發(fā)和裝備技術(shù)開發(fā)驗證。
測試分析與服役評價平臺
圍繞氮化鎵LDs、Micro-LED、DUV-LED、電力電子和射頻電子器件的關(guān)鍵核心參數(shù)表征需求，開發(fā)測試新方法新技術(shù)、研制專用裝備、制定國家標準檢測服務(wù)體系。平臺自主開發(fā)了包括顯微缺陷、微納結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)成分、光電特性、可靠性和失效分析的系統(tǒng)性一站式解決方案。并成功研制2臺套Micro-LED光空間分布多功能測試系統(tǒng)，創(chuàng)新單晶材料體內(nèi)缺陷的X射線貌相術(shù)無損表征的系列方案。同時也建成了涵蓋15種材料的半導(dǎo)體SIMS標準樣品庫，標樣總數(shù)突破100個。為135家企業(yè)、高校和研發(fā)機構(gòu)提供測試分析服務(wù)。
附：會議信息
會議時間：2025年8月10日-13日
會議地點：中國·大連
主辦單位：
中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會
中國電子學(xué)會電子材料學(xué)分會
承辦單位：
大連理工大學(xué)
東北師范大學(xué)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
協(xié)辦單位：
集成光電子全國重點實驗室
寬禁帶半導(dǎo)體超越照明材料與技術(shù)全國重點實驗室
國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）
中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所特種發(fā)光科學(xué)與技術(shù)全國重點實驗室
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
一、組織機構(gòu)
名譽主席：甘子釗、王占國、鄭有炓
顧問委員會（按姓氏首字母排序）：褚君浩、杜國同、顧 瑛、關(guān)白玉、郝 躍、黃 如、賈明星、江風(fēng)益、李愛珍、李晉閩、李樹深、劉紀美、劉 明、劉 勝、羅 毅、申德振、孫祥楨、王立軍、許寧生、楊德仁、葉志鎮(zhèn)、俞大鵬、張國義、張 榮、張 躍、鄭婉華
大會主席：劉益春
共同主席：沈 波、楊 輝、吳 玲
程序委員會
主 席: 徐 科
副主席：黎大兵、張源濤、朱嘉崎
委 員（按姓氏首字母排序）：敖金平、蔡樹軍、陳長清、陳敦軍、陳 弘、陳 敬、陳堂勝、陳萬軍、陳小龍、陳秀芳、程 凱、遲 楠、單崇新、丁琪超、董博宇、馮士維、馮志紅、顧書林、賀東江、黃伯寧、黃 豐、黃 凱、康俊勇、賴占平、李國強、梁 建、劉 斌、劉國友、劉建平、劉木清、劉 榕、劉斯揚、劉新宇、劉 揚、龍世兵、陸 海、羅小蓉、馬曉華、毛 維、歐 欣、潘 毅、裴 軼、彭俊彪、皮孝東、邱宇峰、盛 況、孫 錢、孫偉鋒、孫小衛(wèi)、孫曉娟、唐 寧、陶緒堂、萬成安、萬玉喜、汪 萊、王德君、王 鋼、王宏興、王建峰、王江波、王軍喜、王來利、王 立、王新強、吳毅鋒、肖國偉、徐海陽、徐士杰、徐現(xiàn)剛、許福軍、薛玉雄、閆建昌、楊富華、葉建東、伊?xí)匝?、于洪宇、?nbsp; 峰、張保平、張 波、張國旗、張進成、張金風(fēng)、張 龍、張乃千、張清純、鄭雪峰、張玉明、趙德剛、趙麗霞、鄭晨焱
組織委員會
主 席: 梁紅偉
副主席：陳志濤、阮軍、張書明
委 員（按姓氏首字母排序）：蔡端俊、曹峻松、陳 鵬、陳義強、陳志忠、程紅娟、方 方、方文饒、房玉龍、和巍巍、黃少華、黃文海、耿 博、龔 政、郭 清、郭世平、郭 煒、郝茂盛、胡衛(wèi)國、化夢媛、黃火林、黃 森、何晨光、賀致遠、紀志坡、賈 銳、賈志泰、蔣 科、矯淑杰、江 灝、鞠光旭、孔月蟬、李炳生、李金釵、李述體、李忠輝、梁劍波、劉 超、劉軍林、劉可為、劉 雯、劉新科、劉玉懷、劉召軍、劉志強、劉宗亮、陸 敏、呂元杰、梅云輝、馬劍鋼、苗振林、母鳳文、牛萍娟、潘堯波、齊紅基、全知覺、任國強、賽青林、桑立雯、宋 波、孫海定、孫文紅、孫永強、田朋飛、王光緒、王嘉銘、王茂俊、王 琦、王榮華、王鑫華、王英民、魏同波、汪煉成、吳 亮、吳嘉偉、吳雅蘋、謝志國、徐明升、楊 霏、楊蘭芳、楊 樹、楊學(xué)林、殷 紅、于彤軍、張佰君、張 峰、張 輝、張紀才、張建立、張景文、張葦杭、張 嵩、張 雄、張宇昊、張 韻、張紫輝、趙璐冰、趙 維、周春華、周 弘、周 琦
大會秘書處
秘書長： 張振中 黃火林
副秘書長： 趙 紅 張克雄 張赫之
成 員： 賈欣龍、馬浩然、夏曉川、孫雨周、代建勛、柳陽、李鵬、王月飛、楊霖等
三、主要日程
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四、大會主題
綠色能源與智能時代的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)
五、會議征文方向：
1.材料生長(氮化物半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、碳化硅、金剛石等)
2.材料物性和表征技術(shù)(光、電、磁、熱性質(zhì)、缺陷物理等)
3.光電子器件及其應(yīng)用(LED、Micro-LED、LD、光電探測器等)
4.電子器件及其應(yīng)用(射頻電子器件、功率電子器件、傳感器及集成電路等)
5.新型寬禁帶材料與器件(超寬禁帶半導(dǎo)體、二維寬禁帶半導(dǎo)體、有機寬禁帶半導(dǎo)體等)
6.輻射及高能粒子探測器件
征文要求：
1.符合上述內(nèi)容的論文摘要；
2.論文摘要主題突出、內(nèi)容層次分明、數(shù)據(jù)準確、論述嚴謹、結(jié)論明確、采用法定計量單位；
3.論文摘要須以WORD文檔格式，包含標題、作者及其單位地址、正文、圖表、參考文獻等在內(nèi)不超過一頁A4紙；
4.提交截止日前,以電子郵件方式（投稿郵箱: kxzhang@dlut.edu.cn、hez.zhang@dlut.edu.cn、zhangzhenzhong@nenu.edu.cn）提交至?xí)h組委會秘書組；相關(guān)模板可登錄大會官網(wǎng)（http://www.wbsc.org.cn）或查詢附件；
5.所有論文摘要均編入會議文集。
六、會議注冊費
1.普通代表（A類票）：
2800元（含會議文集、日程等會議資料及會議期間相關(guān)服務(wù)）
2.學(xué)生代表（B類票）：
2300元（與普通代表會議待遇相同，但須提交相關(guān)證件）
掃碼注冊報名
掃碼注冊報名
七、注冊費繳費方式
1.通過銀行匯款
開戶行：中國工商銀行北京市分行百萬莊支行
賬 號：0200001409014413573
名 稱：中國有色金屬學(xué)會
注：銀行匯款請務(wù)必備注“寬禁帶會議+參會代表姓名”
2.線上繳費，登錄官網(wǎng)，
3.現(xiàn)場繳費（接受掃碼、刷卡）
八、會議信息及聯(lián)系人
1.會議官網(wǎng)：http://www.wbsc.org.cn
（會議詳細信息請掃碼關(guān)注大會官網(wǎng)）
2.論文征集聯(lián)系人
張克雄：15382208398；Email: kxzhang@dlut.edu.cn
張赫之：13478911634；Email: hez.zhang@dlut.edu.cn
張振中：18626668329；Email: zhangzhenzhong@nenu.edu.cn
3.合作咨詢
參會咨詢：
蘆老師：13601372457，E：lul@casmita.com
商務(wù)合作：
賈先生：18310277858，E：jiaxl@ casmita.com
張小姐：13681329411，E：zhangww@ casmita.com
參會代表財務(wù)咨詢：
龐老師：15010359809
熱烈歡迎相關(guān)領(lǐng)域的專家、學(xué)者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流！
4、酒店信息
會議酒店：大連香格里拉大酒店
位于人民路商業(yè)街，與中山廣場相鄰（大連市中山區(qū)人民路66號）。
房間價格：高級房：1000元/間夜（含單早），豪華房：1100元/間夜（含單早）
掃碼跳轉(zhuǎn)酒店官網(wǎng)預(yù)定鏈接：
住宿協(xié)議酒店:
·大連心悅大酒店（中山區(qū)人民路81號）
商務(wù)大床房：420元間/夜（含單早）
商務(wù)雙人房：420元間/夜（含雙早）
訂房聯(lián)系方式：宋經(jīng)理18640869188
距離會議酒店：477米
·大連新嘉信酒店（中山區(qū)五五路53號）
大床房：468元間/夜（含雙早）
雙床房：468元間/夜（含雙早）
訂房聯(lián)系方式：任經(jīng)理18940991977
距離會議酒店:約1公里
·桔子水晶酒店（大連中山廣場店）
高級大床房：500元間/夜（含單早）
訂房聯(lián)系方式：朱經(jīng)理18642677723
距離會議酒店:約1.1公里
·大連渤海明珠酒店（中山區(qū)勝利廣場8號）
標準大床房：440元間/夜（含雙早）
標準雙床房：440元間/夜（含雙早）
訂房聯(lián)系方式：張經(jīng)理15840631085
備注：10間以上價格為420元
距離會議酒店:約1.9公里
注：大連旅游城市正值旅游旺季，酒店實際價格有可能調(diào)整，以酒店公布為準。
5.交通信息
