應(yīng)用材料推出了Stensar化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)，作為進(jìn)一步使用EUV光刻技術(shù)進(jìn)行二維縮放的一種方法，并支持柵極全方位晶體管的形成。Stensar是先進(jìn)的EUV圖案薄膜，替代自旋圖案薄膜。
據(jù)報道，由于EUV抗蝕劑的性質(zhì)，芯片圖案需要通過一系列中間層（稱為轉(zhuǎn)移層和硬掩膜）蝕刻，然后才能最終蝕刻到晶圓上。到目前為止，這些層都是利用自旋技術(shù)沉積的。
與自旋圖案薄膜相比，應(yīng)用材料的Stensar CVD薄膜可幫助客戶調(diào)整EUV硬掩膜層的特定厚度和蝕刻彈性，從而優(yōu)化整個晶圓上的EUV圖案傳輸均勻性。
應(yīng)用材料還宣布其Sym3蝕刻設(shè)備能夠在同一腔室中蝕刻和沉積材料的能力，這將有助于在將材料蝕刻到晶圓中之前改善EUV圖案。改進(jìn)的EUV圖案增加了產(chǎn)率，提高了芯片的功率和性能。
