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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

自主突破，九峰山實(shí)驗(yàn)室首發(fā)6英寸InP激光器與探測(cè)器外延工藝

我國(guó)科學(xué)家合成了鉆石里的“六邊形戰(zhàn)士”

清華大學(xué)化學(xué)系團(tuán)隊(duì)合作開發(fā)出理想的極紫外（EUV）光刻膠材料

中國(guó)科學(xué)家首創(chuàng)“蒸籠”方法“長(zhǎng)出”高性能晶體管新材料

南京大學(xué)王欣然教授團(tuán)隊(duì)Nature Materials：實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體堆垛調(diào)控新進(jìn)展

8N8！中宜創(chuàng)芯碳化硅粉體純度刷新全球行業(yè)記錄

寧波材料所開發(fā)出4英寸超薄、超低翹曲金剛石自支撐薄膜

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

刷新紀(jì)錄！鄭州大學(xué)實(shí)現(xiàn)大尺寸高質(zhì)量金剛石激光晶體批量生長(zhǎng)

稀土卡關(guān)危機(jī)！中國(guó)限制出口德國(guó)車廠恐停工

南京工業(yè)大學(xué)先進(jìn)材料AM：界面誘導(dǎo)生長(zhǎng)法制備高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管

MaM發(fā)表深圳大學(xué)劉新科團(tuán)隊(duì)綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術(shù)

朱鐵軍教授團(tuán)隊(duì)《Science》：半赫斯勒窄帶半導(dǎo)體材料的壓電效應(yīng)

征世科技成功研發(fā)30 mm×55 mm單晶金剛石散熱片

重大突破！吉林大學(xué)領(lǐng)銜，高壓人工合成出隕石中的超級(jí)鉆石“六方金剛石”

新突破|鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵單晶生長(zhǎng)突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

金剛石基晶體管，里程碑突破！

量子材料領(lǐng)域十年難題獲破解，理想外爾半金屬首次合成

東南大學(xué)團(tuán)隊(duì)在日盲光電探測(cè)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

日本國(guó)立材料研究所廖梅勇團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)金剛石DUV探測(cè)器低電壓高增益新突破！

最高記錄！柔性熱電器件，Science！

水凝膠半導(dǎo)體材料問世可作為理想生物電子界面

金剛石膜取得大突破！

前沿科技 | 無需半導(dǎo)體材料的電子器件問世

韓開發(fā)出新高遷移率p型半導(dǎo)體材料

純度超99.99995%！我國(guó)開發(fā)出超高純石墨產(chǎn)品

我國(guó)科學(xué)家開發(fā)出面向新型芯片的絕緣材料

西安交大科研人員在低維鈣鈦礦器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

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