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又一大廠發(fā)力氮化鎵芯片,獲3500萬美元補(bǔ)貼

日期:2023-10-23 閱讀:349
核心提示:近日,格芯宣布已獲得美國提供的3500萬美元聯(lián)邦資金,以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工廠在硅半導(dǎo)體上制造差異化氮化鎵(

近日,格芯宣布已獲得美國提供的3500萬美元聯(lián)邦資金,以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工廠在硅半導(dǎo)體上制造差異化氮化鎵(GaN)芯片。

格芯佛蒙特州半導(dǎo)體制造工廠表示,繼續(xù)朝著大規(guī)模生產(chǎn)用于航空航天和國防、蜂窩通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和汽車的下一代氮化鎵芯片邁進(jìn)。
 
格芯總裁兼CEO Thomas Caulfield表示:“硅基氮化鎵是新興市場高性能射頻、高壓功率開關(guān)和控制應(yīng)用的理想技術(shù),對(duì)于6G無線通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和電動(dòng)汽車非常重要。”
 
格芯計(jì)劃購買更多設(shè)備來提升開發(fā)和原型設(shè)計(jì)能力,向大規(guī)模200mm硅基氮化鎵半導(dǎo)體制造邁進(jìn)。作為投資的一部分,格芯計(jì)劃實(shí)施新的能力,以減少格芯及其客戶面臨鎵供應(yīng)鏈限制的風(fēng)險(xiǎn),同時(shí)提高氮化鎵芯片的開發(fā)速度、供應(yīng)保證和競爭力。
 
資料顯示,氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),可以滿足各種應(yīng)用場景對(duì)高效率、低能耗、高性價(jià)比的要求,因此受到了市場密切關(guān)注。
 
當(dāng)前,氮化鎵的應(yīng)用已經(jīng)不再局限于快充等消費(fèi)電子市場,而是向數(shù)據(jù)中心、可再生能源甚至新能源汽車市場持續(xù)推進(jìn)。
 
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據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,到2026年,全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到13.3億美金,復(fù)合增長率高達(dá)65%。
 
強(qiáng)大的市場需求下,包括格芯、英飛凌、DB Hi-Tech、三安光電、華潤微等眾多半導(dǎo)體廠商開始擴(kuò)充生產(chǎn)線,布局氮化鎵市場。未來,氮化鎵成長空間廣闊。
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